در اين طرح يك روش براي انتقال امواج الكترومغناطيسي به داخل ترانسفورماتور جهت تشخيص عيوب شعاعي سيم¬پيچ با استفاده از روش تصويربرداري راداري ارائه شده است. با توجه به اينكه تانك فلزي جزء لاينفك ترانسفورماتور مي¬باشد و امواج الكترومغناطيسي نمي¬توانند از فلز عبور كنند، در اين روش دريچه يا پنجره¬اي بر روي بدنه ترانسفورماتور به منظور انتقال امواج به داخل ترانس طراحي شده است. در اين طرح، از اپوكسي¬گلاس به عنوان يك عايق مناسب با قابليت عبور امواج با حداقل تلفات و انعكاس و داراي استقامت مكانيكي و حرارتي بالا در ساخت پنجره دي¬الكتريك استفاده گرديده است. مكان مناسب براي پنجره دي-الكتريك و ابعاد آن جهت نصب بر روي تانك ترانسفورماتور قدرت با توجه به قيود ميدان¬دور آنتن¬هاي ويوالدي و ورقه¬هاي مغناطيسي واقع در روبروي هر سيم¬پيچ بدست آمده است. امكان¬سنجي مكانيكي طرح ارائه شده با استفاده از نرم¬افزار ABAQUS مورد بررسي قرار گرفته و از جابجايي و تنش بسيار كوچك و استحكام بالاي آن اطمينان حاصل گرديده است. پس از ساخت تانك پيشنهادي براي ترانسفورماتور تك¬فاز، به تشخيص عيب شعاعي سيم¬پيچ در حضور تانك ترانسفورماتور با استفاده از روش تصويربرداري راداري پرداخته شده است. در اين روش‌ تصويربرداري راداري، يك پالس باريك به سمت سيم‌پيچ ارسال شده و سيگنال‌هاي بازتاب شده از آن اندازه‌گيري مي‌گردد. سيگنال بازگشتي از سيم‌پيچ كه يك سيگنال يك¬بعدي مي‌باشد، دربرگيرنده بخشي از اطلاعات فيزيكي آن مي‌باشد. براي به‌دست آوردن اطلاعات بيشتر از سيم‌پيچ، آنتن‌هاي فرستنده و گيرنده در طول محور سيم¬پيچ جابجا شده و سيگنال بازتاب شده از آن در نقاط مختلف اين محور اندازه‌گيري مي‌گردند. مجموعه اين سيگنال‌ها يك داده‌ي دوبعدي را در حوزه زمان-فضا تشكيل مي‌دهند. اين داده دوبعدي، پس از حذف نويز و بخش‌هاي ناخواسته، با استفاده از الگوريتم‌ مهاجرت كيرشهف به يك تصوير دوبعدي تبديل مي‌گردد. با تجزيه و تحليل تصوير بدست آمده، وجود تغيير شكل شعاعي سيم‌پيچ، محل و ميزان تقريبي آن تشخيص داده مي‌شود.

استفاده از جاذب هاي سطحي از ديرباز براي حذف آنيون ها و كاتيون ها از پساب رايج بوده است. حضور آنيون هاي سمي كرومات و ارسنات مشكلاتي بسياري را براي آب ها و منابع زير زميني به لحاظ آلودگي وسيع و قدرت نفوذ و ماندگاري بالا ايجاد مي كند كه اكثرا با جاذب هاي معمول و رايج قابل حذف نيست.